中鎵半導體承辦全國半導體材料標準工作會

為響應(yīng)國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，進一步夯實我國第三代半導體材料標準化工作的基礎(chǔ)。3月28日，全國半導體材料標準工作會議在廣東東莞順利召開。本次會議由全國半導體材料標準化分技術(shù)委員會主辦，東莞市中鎵半導體科技有限公司承辦、北京大學東莞光電研究院協(xié)辦，來自全國半導體材料行業(yè)近50家高校、科研院所及頭部企業(yè)約65名代表參加了會議。

  全國半導體材料標準化分技術(shù)委員會主任賀東江出席并主持會議，東莞市市場監(jiān)督局標準化科科長尹偉深、廣東光大集團總裁陳健民出席會議。

尹偉深科長表示，一直以來，東莞市委、市政府高度重視標準化工作，在政策出臺、財政資助等方面，采取了一系列重大舉措推動我市標準化工作創(chuàng)新發(fā)展，真誠希望國家標委會及各分標委會能夠多多關(guān)注東莞相關(guān)各行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展，將更多的活動放在東莞舉辦，帶領(lǐng)東莞的相關(guān)企業(yè)積極參與到各項標準化工作當中。

對于中鎵半導體積極承辦本次會議，尹偉深給予高度認可。他表示，中鎵在半導體材料研發(fā)等方面技術(shù)實力雄厚，參與過多項相關(guān)國家標準的制修訂工作，為東莞的標準化建設(shè)工作做出了積極貢獻。

陳健民總裁表示，中鎵科技成立于2009年，深耕第三代半導體領(lǐng)域10余年，已建成專業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線，產(chǎn)品主要應(yīng)用于快速充電器、激光、功率模塊等領(lǐng)域。中鎵半導體作為半導體材料企業(yè)的一份子，作為標準化力量的一員，一直以來高度重視標準化工作，在市場監(jiān)督局的大力支持，半材標委與各行業(yè)專家代表的指導下，中鎵半導體累計完成國家標準發(fā)布9項，其中主導完成3項。未來，公司將持續(xù)提高專業(yè)技術(shù)和專業(yè)思維，不斷發(fā)現(xiàn)、不斷創(chuàng)新、不斷改進，為國家標準化事業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展貢獻一份力量。

會議上，標委會委員及各標準項目單位代表積極發(fā)言、熱烈討論，最終成功審定、預(yù)審和討論了13個標準項目。其中，討論了碳化硅外延片、顆粒硅總金屬雜質(zhì)含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法、多晶硅還原爐尾氣成分的測定氣相色譜法等5個國標項目；預(yù)審了碳化硅晶體材料缺陷圖譜、藍寶石圖形化襯底片、硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法等7個國標項目；審定了碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試共焦點微分干涉法項目。會議最后取得圓滿成功。