當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月11日至16日， The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)于日本金澤(Kanazawa)召開，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“中鎵半導(dǎo)體”）應(yīng)邀參會(huì)。
　　該氮化物國(guó)際研討會(huì)由京都大學(xué)和東京大學(xué)主辦，吸引了相應(yīng)高等院校、全球氮化物行業(yè)科研機(jī)構(gòu)及企業(yè)等上千名專家、學(xué)者、業(yè)界精英參會(huì)。會(huì)議就與氮化物材料相關(guān)的一些關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行深入討論，助力氮化物領(lǐng)域蓬勃發(fā)展。會(huì)議在2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主、名古屋大學(xué)教授天野浩（Hiroshi Amano）的報(bào)告中隆重拉開序幕（圖1）。中鎵半導(dǎo)體作為會(huì)議邀請(qǐng)嘉賓，作了題為“The Fabrication of High Quality Low Cost Free-standing GaN Substrates and GaN Templates”的分會(huì)場(chǎng)報(bào)告，反應(yīng)強(qiáng)烈（圖2）。
　　會(huì)議期間，與會(huì)人士高度關(guān)注中鎵半導(dǎo)體的氮化鎵單晶產(chǎn)品的展示（圖3、4），充分肯定了中國(guó)近年來(lái)氮化鎵材料的發(fā)展以及中鎵半導(dǎo)體所取得的成就。通過(guò)此次會(huì)議，彰顯了中鎵半導(dǎo)體在國(guó)際氮化物材料領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

　　圖一
　　

　　圖二
　

　　圖三
　　

　　圖四