熱烈祝賀中鎵公司于2月25日成功研制4英寸6次方GaN單晶襯底,標(biāo)志著中鎵公司在大尺寸、高質(zhì)量GaN單晶襯底研發(fā)和生產(chǎn)方面取得了重大突破!
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