2010年5月16日-21日，由中鎵半導(dǎo)體公司贊助、北京大學(xué)為主辦單位的第8屆國際半導(dǎo)體發(fā)光器件研討會在北京大學(xué)博雅國際會議中心順利召開，并取得完滿成功。本次討論會邀請了來自各國的高校、科研單位、企業(yè)的專家與工程師們，包括美國、英國、加拿大、日本、荷蘭、俄羅斯等等國家，亦吸引了不少我國臺灣地區(qū)、香港地區(qū)的學(xué)者專家的參與，與會人員約180人。
　　研討會主要采用課題報(bào)告式，多為國內(nèi)國外專家進(jìn)行了最新科研領(lǐng)域的研究報(bào)告，討論正迅猛發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體科學(xué)、技術(shù)的進(jìn)程與未來的發(fā)展趨勢，以及其在可見光與紫外光發(fā)光二極管、激光器等方面的應(yīng)用。研討會為各國半導(dǎo)體行業(yè)提供了一個(gè)廣闊的平臺，各國專家通過此平臺展開了多方面的交流，對研討會的舉辦均給予了高度的評價(jià)，同時(shí)亦期待下一屆會議的召開。

　圖1：會議主席張國義教授（中鎵公司總經(jīng)理）會議發(fā)言

　　圖2：各國專家作報(bào)告
　　　圖3：研討會報(bào)告現(xiàn)場，多國專家進(jìn)行交流